Na IEDM (International Electron Devices Meeting) konferenciji u San Francisku, IBM i Samsung predstavili su inovativni dizajn poluprovodnika. Novi dizajn podrazumeva vertikalno slaganje tranzistora na čip i vodi ka konstruisanju dvostruko bržih procesora, piše PC Press.
Tranzistori su, u postojećim procesorima i SoCs, na površini silikona položeni ravno, što uzrokuje da struja teče sa jedne na drugu stranu. Nasuprot tome, VTFET tranzistori (Vertical Transport Field Effect Transistors), položeni su jedan u odnosu na drugi normalno, pa struja teče vertikalno.
Samsung i IBM tvrde da postoje dve prednosti ovakvog pristupa. Prva se odnosi na izbegavanje ograničenja performansi, što podrazumeva proširenje Murovog zakona van postojeće IBM-ove nanotehnologije. Druga i važnija prednost je u tome što se, zbog boljeg protoka struje, gubi manje energije. Procenjuje se da će se sa novom VTFET tehnologijom konstruisati procesori koji su ili duplo brži, ili koriste 85% manje snage od čipova dizajniranih sa FinFET tranzistorima.
Dve kompanije predviđaju da će novi dizajn poluprovodnika voditi ka izvršavanju energetski-intenzivnijih zadataka, kao što je kripto-rudarenje. Nova tehnologija proizvodnje vodi većoj energetskoj efikasnosti, što smanjenje štetne uticaje na sredinu. Osim toga, predviđa se da će telefoni budućnosti koji budu koristili ovakvu tehnologiju, raditi “punom snagom”.
Izvor: PC Press
Foto: Pixabay